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NTHD3102CT1G

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零件编号 :: NTHD3102CT1G

制造商: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

描述: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 529952 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 27 - Dec 01 2024

PDF格式: NTHD3102CT1G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N and P-Channel
场效应管特征:	Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):	20V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	4A, 3.1A
rds on (max) @ id, vgs:	45mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	7.9nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	510pF @ 10V
功率 - 最大值:	1.1W
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-SMD, Flat Lead
供应商设备包:	ChipFET™

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