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SSM6N951L,EFF

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零件编号 :: SSM6N951L,EFF

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: SMALL SIGNAL MOSFET RDSON: 4.4MO

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 19950 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 13 - Nov 17 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
场效应管特征:	Standard
漏源电压 (vdss):	12V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	8A
rds on (max) @ id, vgs:	5.1mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	-
功率 - 最大值:	-
工作温度:	-
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	6-SMD, No Lead
供应商设备包:	6-TCSPA (2.14x1.67)

SSM6N951L,EFF 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 SSM6N951L,EFF 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为SSM6N951L,EFF 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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