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NTMFD4C85NT1G

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零件编号 :: NTMFD4C85NT1G

制造商: Rochester Electronics

描述: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 183040 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

PDF格式: NTMFD4C85NT1G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
场效应管特征:	Standard
漏源电压 (vdss):	30V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	15.4A, 29.7A
rds on (max) @ id, vgs:	3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.1V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	32nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1960pF @ 15V
功率 - 最大值:	1.13W
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-PowerTDFN
供应商设备包:	8-DFN (5x6)

NTMFD4C85NT1G 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 NTMFD4C85NT1G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为NTMFD4C85NT1G 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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