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SI5905BDC-T1-GE3

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MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

SI5905BDC-T1-GE3

SI5905BDC-T1-GE3

图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

SI5905BDC-T1-GE3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
337433 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 17 - Nov 21 2024
PDF格式
SI5905BDC-T1-GE3 PDF
类型 描述
系列:TrenchFET®
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:2 P-Channel (Dual)
场效应管特征:Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):8V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:4A
rds on (max) @ id, vgs:80mOhm @ 3.3A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:11nC @ 8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:350pF @ 4V
功率 - 最大值:3.1W
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:8-SMD, Flat Lead
供应商设备包:1206-8 ChipFET™
SI5905BDC-T1-GE3 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 SI5905BDC-T1-GE3 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为SI5905BDC-T1-GE3 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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