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ECH8601M-TL-H-P

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零件编号 :: ECH8601M-TL-H-P

制造商: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

描述: MOSFET 2N-CH

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 527752 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Feb 23 - Feb 27 2025

PDF格式: ECH8601M-TL-H-P PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
场效应管特征:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏源电压 (vdss):	24V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	8A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.3V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	7.5nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	-
功率 - 最大值:	-
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-SMD, Flat Lead
供应商设备包:	8-ECH

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