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NTTFD9D0N06HLTWG

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MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P

NTTFD9D0N06HLTWG

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零件编号 :

NTTFD9D0N06HLTWG

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
554355 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 28 - Dec 02 2024
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:Standard
漏源电压 (vdss):60V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:9A (Ta), 38A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2V @ 50µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:13.5nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:948pF @ 30V
功率 - 最大值:1.7W (Ta), 26W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:12-PowerWQFN
供应商设备包:12-WQFN (3.3x3.3)
NTTFD9D0N06HLTWG 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 NTTFD9D0N06HLTWG 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为NTTFD9D0N06HLTWG 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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