NTMFD1D4N02P1E

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零件编号 :: NTMFD1D4N02P1E

制造商: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

描述: MOSFET N-CH 20V 8PQFN

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 904490 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 13 - Nov 17 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
场效应管特征:	Standard
漏源电压 (vdss):	25V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2V @ 250µA, 2V @ 800µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
功率 - 最大值:	960mW (Ta), 1W (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-PowerWDFN
供应商设备包:	8-PQFN (5x6)

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