APTM20DHM10G

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零件编号 :: APTM20DHM10G

制造商: Microsemi

描述: MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 507750 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 30 - Dec 04 2024

PDF格式: APTM20DHM10G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
场效应管特征:	Standard
漏源电压 (vdss):	200V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	175A
rds on (max) @ id, vgs:	12mOhm @ 87.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	5V @ 5mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	224nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	13700pF @ 25V
功率 - 最大值:	694W
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Chassis Mount
包/箱:	SP6
供应商设备包:	SP6

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