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A2G26H281-04SR3

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AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

A2G26H281-04SR3

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图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

A2G26H281-04SR3

制造商
NXP Semiconductors
描述
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
目录
晶体管 - 场效应晶体管，场效应晶体管 - 射频
可用性
381438 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 23 - Nov 27 2024
PDF格式
A2G26H281-04SR3 PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Active
晶体管型:LDMOS
频率:2.496GHz ~ 2.69GHz
获得:14.2dB
电压测试:48 V
额定电流（安培）:-
噪声系数:-
电流测试:150 mA
功率输出:50W
额定电压:125 V
包/箱:NI-780S-4L
供应商设备包:NI-780S-4L
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