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IGN1011L70

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零件编号 :: IGN1011L70

制造商: Integra Technologies

描述: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

目录: 晶体管 - 场效应晶体管，场效应晶体管 - 射频

可用性: 661766 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Dec 05 - Dec 09 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
晶体管型:	GaN HEMT
频率:	1.03GHz ~ 1.09GHz
获得:	22dB
电压测试:	50 V
额定电流（安培）:	-
噪声系数:	-
电流测试:	22 mA
功率输出:	80W
额定电压:	120 V
包/箱:	PL32A2
供应商设备包:	PL32A2

IGN1011L70 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 IGN1011L70 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为IGN1011L70 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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BLF647P,112

RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A

	BLC9G20LS-240PVZ Ampleon	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT12753
	ARF460BG Roving Networks / Microchip Technology	FET RF N-CH 500V 14A TO247
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	BLF7G27LS-90P,112 Rochester Electronics	RF PFET, 2-ELEMENT, S BAND, SILI
	BLF184XRU Ampleon	RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A
	PD57060S-E STMicroelectronics	FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
	BLC9H10XS-300PY Ampleon	BLC9H10XS-300P/SOT1273/REELDP
	BLC9G20XS-400AVTZ Ampleon	RF FET LDMOS 65V 16.2DB SOT1258
	BLC9G20XS-160AVZ Ampleon	RF FET LDMOS 65V 16.6DB SOT12753
	BLP05H6110XRGY Ampleon	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242