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IGN1011L70

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零件编号 :: IGN1011L70

制造商: Integra Technologies

描述: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

目录: 晶体管 - 场效应晶体管，场效应晶体管 - 射频

可用性: 661766 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 15 - Nov 19 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
晶体管型:	GaN HEMT
频率:	1.03GHz ~ 1.09GHz
获得:	22dB
电压测试:	50 V
额定电流（安培）:	-
噪声系数:	-
电流测试:	22 mA
功率输出:	80W
额定电压:	120 V
包/箱:	PL32A2
供应商设备包:	PL32A2

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