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A2G35S200-01SR3

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零件编号 :: A2G35S200-01SR3

制造商: NXP Semiconductors

描述: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

目录: 晶体管 - 场效应晶体管，场效应晶体管 - 射频

可用性: 10182 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 14 - Nov 18 2024

PDF格式: A2G35S200-01SR3 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
晶体管型:	GaN HEMT
频率:	3.4GHz ~ 3.6GHz
获得:	16.1dB
电压测试:	48 V
额定电流（安培）:	-
噪声系数:	-
电流测试:	291 mA
功率输出:	180W
额定电压:	125 V
包/箱:	NI-400S-2S
供应商设备包:	NI-400S-2S

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