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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Box |
| 零件状态: | Obsolete |
| 晶体管型: | N-Channel |
| 频率: | 400MHz |
| 获得: | 11.5dB |
| 电压测试: | 28 V |
| 额定电流（安培）: | 5A |
| 噪声系数: | - |
| 电流测试: | 50 mA |
| 功率输出: | 30W |
| 额定电压: | 65 V |
| 包/箱: | M113 |
| 供应商设备包: | M113 |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
MRF8S9202GNR3NXP Semiconductors |
FET RF 70V 920MHZ OM780-2G |
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BLF6G10LS-160RN,11Ampleon |
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B |
|
BLF7G24L-140,118Ampleon |
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A |
|
BLF6G20-40,112Ampleon |
RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A |
|
PTF080101M V1IR (Infineon Technologies) |
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 |
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LET20045CSTMicroelectronics |
RF MOSFET N CH 80V 12A M243 |
|
PTFA142401ELV4R250XTMA1IR (Infineon Technologies) |
IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 |
|
MRF8S7235NR3NXP Semiconductors |
FET RF 70V 728MHZ OM780-2 |
|
BLF6G10L-260PRN,11Ampleon |
RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A |
|
BLF7G27LS-140,118Ampleon |
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B |
|
BLF6G10L-260PBM:11Ampleon |
RF FET LDMOS 65V SOT1110A |
|
BLF6H10LS-160,118Ampleon |
RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B |
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2N5247_J35ZSanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
JFET N-CH 30V TO92 |
