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零件编号 :

2SK3816-DL-1E

制造商
Rochester Electronics
描述
MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
10439 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 05 - Nov 09 2025
PDF格式
2SK3816-DL-1E PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:40A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:4V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:26mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:40 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1.78 pF @ 20 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:1.65W (Ta), 50W (Tc)
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:TO-263-2
包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
2SK3816-DL-1E 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 2SK3816-DL-1E 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为2SK3816-DL-1E 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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