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R6006JNXC7G

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零件编号 :: R6006JNXC7G

制造商: ROHM Semiconductor

描述: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 11012 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	6A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	15V
rds on (max) @ id, vgs:	936mOhm @ 3A, 15V
vgs(th) (最大值) @ id:	7V @ 800µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	15.5 nC @ 15 V
vgs (最大值):	±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	410 pF @ 100 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	43W (Tc)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-220FM
包/箱:	TO-220-3 Full Pack

R6006JNXC7G 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 R6006JNXC7G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为R6006JNXC7G 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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