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NTMFS4H02NFT3G

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MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN

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零件编号 :

NTMFS4H02NFT3G

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
192219 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 07 - Nov 11 2024
PDF格式
NTMFS4H02NFT3G PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):25 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:37A (Ta), 193A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.1V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:40.9 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:2652 pF @ 12 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):3.13W (Ta), 83W (Tc)
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包/箱:8-PowerTDFN
NTMFS4H02NFT3G 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 NTMFS4H02NFT3G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为NTMFS4H02NFT3G 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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