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零件编号 :

TPWR8503NL,L1Q

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
10309 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 23 - Nov 27 2024
PDF格式
TPWR8503NL,L1Q PDF
类型 描述
系列:U-MOSVIII-H
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:150A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:0.85mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.3V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:74 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:6900 pF @ 15 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):800mW (Ta), 142W (Tc)
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:8-DSOP Advance
包/箱:8-PowerVDFN
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