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CSD17313Q2Q1

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MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

F9TYL5E5EAAM022

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OS1/OS2 12 FIBER SMALL DIAMETER

CSD17313Q2Q1

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零件编号 :

CSD17313Q2Q1

制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
14499 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 29 - Dec 03 2024
类型 描述
系列:Automotive, AEC-Q100, NexFET™
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Not For New Designs
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:5A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):3V, 8V
rds on (max) @ id, vgs:30mOhm @ 4A, 8V
vgs(th) (最大值) @ id:1.8V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:2.7 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):+10V, -8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:340 pF @ 15 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):2.3W (Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:6-WSON (2x2)
包/箱:6-WDFN Exposed Pad
CSD17313Q2Q1 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 CSD17313Q2Q1 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为CSD17313Q2Q1 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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