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SCT2120AFC

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零件编号 :: SCT2120AFC

制造商: ROHM Semiconductor

描述: SICFET N-CH 650V 29A TO220AB

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 11689 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 28 - Dec 02 2024

PDF格式: SCT2120AFC PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (vdss):	650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	29A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	18V
rds on (max) @ id, vgs:	156mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 3.3mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	61 nC @ 18 V
vgs (最大值):	+22V, -6V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1200 pF @ 500 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	165W (Tc)
工作温度:	175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-220AB
包/箱:	TO-220-3

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