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RJU002N06FRAT106

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零件编号 :: RJU002N06FRAT106

制造商: ROHM Semiconductor

描述: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 17576 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 14 - Nov 18 2024

PDF格式: RJU002N06FRAT106 PDF

类型	描述
系列:	Automotive, AEC-Q101
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	200mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	2.3Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.5V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (最大值):	±12V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	18 pF @ 10 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	200mW (Ta)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	UMT3
包/箱:	SC-70, SOT-323

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