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IRF6619TR1PBF

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零件编号 :: IRF6619TR1PBF

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 12000 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 17 - Nov 21 2024

PDF格式: IRF6619TR1PBF PDF

类型	描述
系列:	HEXFET®
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	30A (Ta), 150A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.45V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	57 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	5040 pF @ 10 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	DIRECTFET™ MX
包/箱:	DirectFET™ Isometric MX

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