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TK39J60W,S1VQ

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零件编号 :: TK39J60W,S1VQ

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 409840 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 17 - Nov 21 2024

PDF格式: TK39J60W,S1VQ PDF

类型	描述
系列:	DTMOSIV
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	38.8A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3.7V @ 1.9mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	4100 pF @ 300 V
场效应管特征:	Super Junction
功耗（最大值）:	270W (Tc)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-3P(N)
包/箱:	TO-3P-3, SC-65-3

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