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SCT3120ALGC11

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零件编号 :: SCT3120ALGC11

制造商: ROHM Semiconductor

描述: SICFET N-CH 650V 21A TO247N

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 601560 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 29 - Nov 02 2025

PDF格式: SCT3120ALGC11 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (vdss):	650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	21A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	18V
rds on (max) @ id, vgs:	156mOhm @ 6.7A, 18V
vgs(th) (最大值) @ id:	5.6V @ 3.33mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	38 nC @ 18 V
vgs (最大值):	+22V, -4V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	460 pF @ 500 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	103W (Tc)
工作温度:	175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-247N
包/箱:	TO-247-3

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