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IMBG120R030M1HXTMA1

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零件编号 :: IMBG120R030M1HXTMA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: TRANS SJT N-CH 1.2KV 56A TO263

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 622262 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 12 - Nov 16 2025

类型	描述
系列:	CoolSiC™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏源电压 (vdss):	1.2 kV
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	56A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	-
rds on (max) @ id, vgs:	41mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (最大值) @ id:	5.7V @ 11.5mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	63 nC @ 18 V
vgs (最大值):	+18V, -15V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	2.29 nF @ 800 V
场效应管特征:	Standard
功耗（最大值）:	300W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PG-TO263-7-12
包/箱:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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