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TK125V65Z,LQ

TK125V65Z,LQ

MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN

3M 4466W CIRCLE-0.563

3M 4466W CIRCLE-0.563"-2000

TAPE DBL COAT 9/16" DIA 2000/RL

TK125V65Z,LQ

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零件编号 :

TK125V65Z,LQ

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
15000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 02 - Nov 06 2024
类型 描述
系列:DTMOSVI
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:24A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 1.02mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:40 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:2250 pF @ 300 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):190W (Tc)
工作温度:150°C
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:5-DFN (8x8)
包/箱:4-VSFN Exposed Pad
TK125V65Z,LQ 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 TK125V65Z,LQ 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为TK125V65Z,LQ 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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