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TK56E12N1,S1X

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MOSFET N CH 120V 56A TO-220

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零件编号 :

TK56E12N1,S1X

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET N CH 120V 56A TO-220
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
033903 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 29 - Dec 03 2024
PDF格式
TK56E12N1,S1X PDF
类型 描述
系列:U-MOSVIII-H
包裹:Tube
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):120 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:56A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:7mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:69 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:4200 pF @ 60 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:168W (Tc)
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:TO-220
包/箱:TO-220-3
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