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TN0106N3-G-P013

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MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

TN0106N3-G-P013

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零件编号 :

TN0106N3-G-P013

制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
484748 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 25 - Nov 29 2024
PDF格式
TN0106N3-G-P013 PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Box (TB)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:350mA (Tj)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2V @ 500µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:60 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:1W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:TO-92-3
包/箱:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TN0106N3-G-P013 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 TN0106N3-G-P013 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为TN0106N3-G-P013 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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