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VN1206L-G-P002

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零件编号 :: VN1206L-G-P002

制造商: Roving Networks / Microchip Technology

描述: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 086608 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

PDF格式: VN1206L-G-P002 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	120 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	230mA (Tj)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	2.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (最大值):	±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	125 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	1W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-92-3
包/箱:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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