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CSD18541F5

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零件编号 :: CSD18541F5

制造商: Texas Instruments

描述: MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 666866 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 10 - Nov 14 2025

类型	描述
系列:	FemtoFET™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	2.2A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	777 pF @ 30 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	500mW (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	3-PICOSTAR
包/箱:	3-SMD, No Lead

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