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APTM120U10SCAVG

APTM120U10SCAVG

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

HV210-SM02-C

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10 INH2O / 2500PA PRESSURE SENSO

APTM120U10SCAVG

APTM120U10SCAVG

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零件编号 :

APTM120U10SCAVG

制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
658265 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 23 - Nov 27 2024
PDF格式
APTM120U10SCAVG PDF
类型 描述
系列:POWER MOS 7®
包裹:Bulk
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):1200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:116A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:120mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:5V @ 20mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:1100 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:28900 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):3290W (Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
供应商设备包:SP6
包/箱:SP6
APTM120U10SCAVG 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 APTM120U10SCAVG 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为APTM120U10SCAVG 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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