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R6030JNZ4C13

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MOSFET N-CH 600V 30A TO247G

R6030JNZ4C13

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零件编号 :

R6030JNZ4C13

制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
10600 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 16 - Nov 20 2024
类型 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:30A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):15V
rds on (max) @ id, vgs:143mOhm @ 15A, 15V
vgs(th) (最大值) @ id:7V @ 5.5mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:74 nC @ 15 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:2500 pF @ 100 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):370W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:TO-247G
包/箱:TO-247-3
R6030JNZ4C13 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 R6030JNZ4C13 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为R6030JNZ4C13 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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