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SCTH40N120G2V7AG

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SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7

SCTH40N120G2V7AG

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零件编号 :

SCTH40N120G2V7AG

制造商
STMicroelectronics
描述
SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
328832 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 30 - Jan 03 2024
类型 描述
系列:Automotive, AEC-Q101
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (vdss):650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:33A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):18V
rds on (max) @ id, vgs:105mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (最大值) @ id:5V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 18 V
vgs (最大值):+22V, -10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1230 pF @ 800 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):250W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:H2PAK-7
包/箱:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
SCTH40N120G2V7AG 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 SCTH40N120G2V7AG 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为SCTH40N120G2V7AG 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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