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TPN1110ENH,L1Q

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零件编号 :: TPN1110ENH,L1Q

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 14190 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 26 - Nov 30 2024

PDF格式: TPN1110ENH,L1Q PDF

类型	描述
系列:	U-MOSVIII-H
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	7.2A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	114mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 200µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	7 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	600 pF @ 100 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	700mW (Ta), 39W (Tc)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	8-TSON Advance (3.3x3.3)
包/箱:	8-PowerVDFN

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