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BUK652R1-30C,127

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零件编号 :: BUK652R1-30C,127

制造商: Rochester Electronics

描述: PFET, 120A I(D), 30V, 0.0035OHM,

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 15004 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Feb 21 - Feb 25 2025

类型	描述
系列:	TrenchMOS™
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	120A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.8V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	168 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±16V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	10.918 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	263W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-220AB
包/箱:	TO-220-3

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