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TPS1101D

TPS1101D

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC

2SWZ330M1.9X7.3

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CAP ALUM POLY 330UF 20% 2V SMD

507CVN

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PLIER,SLD-JT,LINEMAN,7CV,

TPS1101D

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零件编号 :

TPS1101D

制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
10222 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 26 - Nov 30 2024
类型 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):15 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2.3A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):2.7V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:90mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:1.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:11.25 nC @ 10 V
vgs (最大值):+2V, -15V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:-
场效应管特征:-
功耗(最大值):791mW (Ta)
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:8-SOIC
包/箱:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
TPS1101D 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 TPS1101D 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为TPS1101D 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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