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SIHH11N60EF-T1-GE3

SIHH11N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8

SIHH11N60EF-T1-GE3

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零件编号 :

SIHH11N60EF-T1-GE3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
11987 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 23 - Nov 27 2024
PDF格式
SIHH11N60EF-T1-GE3 PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:11A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:357mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:62 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1078 pF @ 100 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:114W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:PowerPAK® 8 x 8
包/箱:8-PowerTDFN
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