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XPN9R614MC,L1XHQ

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零件编号 :: XPN9R614MC,L1XHQ

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 19057 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Dec 27 - Dec 31 2024

类型	描述
系列:	U-MOSVI
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	40 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	40A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	9.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.1V @ 500µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	64 nC @ 10 V
vgs (最大值):	+10V, -20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	3000 pF @ 10 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	840mW (Ta), 100W (Tc)
工作温度:	175°C
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	8-TSON Advance (3.3x3.6)
包/箱:	8-PowerVDFN

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