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TK100E08N1,S1X

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零件编号 :: TK100E08N1,S1X

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: MOSFET N-CH 80V 100A TO220

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 363136 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 29 - Nov 02 2025

PDF格式: TK100E08N1,S1X PDF

类型	描述
系列:	U-MOSVIII-H
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	80 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	100A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	130 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	9000 pF @ 40 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	255W (Tc)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-220
包/箱:	TO-220-3

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