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BUK9E04-30B,127

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零件编号 :: BUK9E04-30B,127

制造商: Rochester Electronics

描述: PFET, 75A I(D), 30V, 0.0044OHM,

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 10811 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 15 - Nov 19 2024

类型	描述
系列:	TrenchMOS™
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	75A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 5 V
vgs (最大值):	±15V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	6.526 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	254W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	I2PAK
包/箱:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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