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零件编号 :

2SK3635-Z-E1-AZ

制造商
Rochester Electronics
描述
MOSFET N-CH 200V 8A TO252
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
18000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Feb 24 - Feb 28 2025
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:8A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:-
rds on (max) @ id, vgs:430mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4.5V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
vgs (最大值):-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:390 pF @ 10 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:-
工作温度:-
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:TO-252 (MP-3Z)
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
2SK3635-Z-E1-AZ 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 2SK3635-Z-E1-AZ 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为2SK3635-Z-E1-AZ 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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