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TK4A60DB(STA4,Q,M)

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零件编号 :: TK4A60DB(STA4,Q,M)

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 729972 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Feb 28 - Mar 04 2025

PDF格式: TK4A60DB(STA4,Q,M) PDF

类型	描述
系列:	π-MOSVII
包裹:	Tube
零件状态:	Last Time Buy
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	3.7A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4.4V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	540 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	35W (Tc)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-220SIS
包/箱:	TO-220-3 Full Pack

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