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IPSH4N03LA G

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零件编号 :: IPSH4N03LA G

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET N-CH 25V 90A TO251-3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 670467 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 17 - Nov 21 2024

PDF格式: IPSH4N03LA G PDF

类型	描述
系列:	OptiMOS™
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	25 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	90A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2V @ 40µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	26 nC @ 5 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	3200 pF @ 15 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	94W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	PG-TO251-3
包/箱:	TO-251-3 Stub Leads, IPak

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