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IRF6611TR1PBF

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零件编号 :: IRF6611TR1PBF

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 220722 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Mar 03 - Mar 07 2025

PDF格式: IRF6611TR1PBF PDF

类型	描述
系列:	HEXFET®
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	32A (Ta), 150A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.6mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.25V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	4860 pF @ 15 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	3.9W (Ta), 89W (Tc)
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	DIRECTFET™ MX
包/箱:	DirectFET™ Isometric MX

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