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MTD5P06VT4GV

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MOSFET P-CH 60V 5A DPAK

MTD5P06VT4GV

MTD5P06VT4GV

图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

MTD5P06VT4GV

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
631863 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 15 - Nov 19 2024
PDF格式
MTD5P06VT4GV PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:5A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:450mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
vgs (最大值):±15V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:510 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):2.1W (Ta), 40W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:DPAK
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MTD5P06VT4GV 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 MTD5P06VT4GV 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为MTD5P06VT4GV 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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