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IPI037N08N3GHKSA1

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零件编号 :: IPI037N08N3GHKSA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 702170 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 30 - Dec 04 2024

PDF格式: IPI037N08N3GHKSA1 PDF

类型	描述
系列:	OptiMOS™
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	80 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	100A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.75mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3.5V @ 155µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	117 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	8110 pF @ 40 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	214W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	PG-TO262-3
包/箱:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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