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FQD8P10TM_F080

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零件编号 :

FQD8P10TM_F080

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
852485 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 16 - Nov 20 2024
PDF格式
FQD8P10TM_F080 PDF
类型 描述
系列:QFET®
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):100 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:6.6A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:530mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:470 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:2.5W (Ta), 44W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:D-Pak
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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