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TPC8A06-H(TE12LQM)

TPC8A06-H(TE12LQM)

MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP

TPC8A06-H(TE12LQM)

TPC8A06-H(TE12LQM)

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零件编号 :

TPC8A06-H(TE12LQM)

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
023502 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 17 - Nov 21 2024
PDF格式
TPC8A06-H(TE12LQM) PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:12A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:10.1mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.3V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1800 pF @ 10 V
场效应管特征:Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）:-
工作温度:-
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:8-SOP (5.5x6.0)
包/箱:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
TPC8A06-H(TE12LQM) 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 TPC8A06-H(TE12LQM) 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为TPC8A06-H(TE12LQM) 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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