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IPI120N06S4H1AKSA1

IPI120N06S4H1AKSA1

MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

IPI120N06S4H1AKSA1

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零件编号 :

IPI120N06S4H1AKSA1

制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
213621 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 18 - Nov 22 2024
PDF格式
IPI120N06S4H1AKSA1 PDF
类型 描述
系列:OptiMOS™
包裹:Tube
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:120A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 200µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:270 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:21900 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:250W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:PG-TO262-3-1
包/箱:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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