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2N6660JTXV02

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MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

D38999/21HJ1ZC

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8D125Z61AN

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8D 61C 61#20 PIN RECP

222A052-3-0

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STD POLY MOLDED PARTS

2N6660JTXV02

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图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

2N6660JTXV02

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
815381 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 17 - Nov 21 2024
PDF格式
2N6660JTXV02 PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:990mA (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:50 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):725mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:TO-205AD (TO-39)
包/箱:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
2N6660JTXV02 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 2N6660JTXV02 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为2N6660JTXV02 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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