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BSP613PL6327HUSA1

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零件编号 :: BSP613PL6327HUSA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 755575 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 27 - Dec 01 2024

PDF格式: BSP613PL6327HUSA1 PDF

类型	描述
系列:	SIPMOS®
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	2.9A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	130mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	33 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	875 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	1.8W (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PG-SOT223-4
包/箱:	TO-261-4, TO-261AA

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