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RJK2009DPM-00#T0

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MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

RJK2009DPM-00#T0

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图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

RJK2009DPM-00#T0

制造商
Renesas Electronics America
描述
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
655865 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 29 - Dec 03 2024
PDF格式
RJK2009DPM-00#T0 PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:40A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:36mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:72 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:2900 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):60W (Tc)
工作温度:-
安装类型:Through Hole
供应商设备包:TO-3PFM
包/箱:TO-3PFM, SC-93-3
RJK2009DPM-00#T0 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 RJK2009DPM-00#T0 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为RJK2009DPM-00#T0 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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